Número de Producto del Fabricante:
TSM085P03CV RGG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM085P03CV RGG-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
Inventario:
54598 Pcs Nuevos Originales En Stock
12897375
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ENVIAR
TSM085P03CV RGG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3234 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
TSM085
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TSM085P03CV RGGCT-DG
TSM085P03CV RGGTR
TSM085P03CV RGGTR-DG
TSM085P03CV RGGCT
TSM085P03CV RGGDKR-DG
TSM085P03CVRGGDKR
TSM085P03CVRGGCT
TSM085P03CVRGGTR
TSM085P03CV RGGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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